一种用于二类超晶格晶片的无崩边切割工艺及装置

本发明公开了一种用于二类超晶格晶片的无崩边切割工艺及装置，涉及晶片切割技术领域，包括操作台，所述操作台的顶部靠近一侧边缘处设置压片机本体，所述操作台的顶部靠近中心处设置用于驱动晶片产生离心力的旋转组件。本发明通过在使用时，在二类超晶格晶片切割前，首先将晶片的双面均匀涂抹一定厚度的光刻胶，对晶片实现了双面防护，使得划片刀的边缘与晶片正面边缘没有接触，弥补了晶片翘曲度造成的厚度差，在进行划片时背部的光刻胶作为划片的牺牲厚度，确保晶片背部仍处于切割中间区域，消除背部崩边，在切割过程中晶片处于刀片切割的中央区域，消除背崩后能有效消除后续工艺造成的边缘塌边的情况。