一种基于MXene/ZnIn2S4复合气敏材料的制备及其阴极阵列涂覆方法

本申请公开了一种基于MXene/ZnIn2S4复合气敏材料的制备及其阴极阵列涂覆方法，其属于半导体纳米材料与MEMS气体传感器制造技术领域，通过MXene表面终端调控实现ZnIn2S4的晶面择优生长，提升了气敏材料的稳定性，湿度敏感性低、涂覆均匀性好、靶材利用率高；涂覆方法开发了磁体旋转与基板位移的闭环控制算法，解决了多阴极溅射的阴影效应问题，采用梯度功率溅射策略，在单次工艺中同步完成材料沉积与结构修饰，提高了气体传感器的灵敏度、稳定性和一致性，本申请可广泛应用于高灵敏度、高稳定性的气体传感器的制造。