一种功率MOSFET器件的热阻仿真模型构建方法

本发明公开了一种功率MOSFET器件的热阻仿真模型构建方法，根据功率器件的封装结构绘制对应的三维模型，并在热仿真分析平台上导入三维模型仿真分析功率器件内部的热分布，利用多层等价简化方法，将功率器件内部的芯片结构等价简化为五层薄膜，并设置各层的等价特征参数，构建作为功率器件发热源的芯片有限元仿真模型；搭建热阻测试环境，在设定温度环境中仿真获知每层薄膜的温度，获得芯片有限元仿真模型的温度变化模型；根据温度变化模型以及功率器件内部的热分布，得到功率器件的热阻仿真模型。采用有限元仿真方法，系统考虑功率器件内部结构、封装工艺参数等影响因素，利用多层等价简化方法，构建准确反映器件内部热特征的热阻仿真模型。