一种电路板的封装工艺

本发明公开了一种电路板的封装工艺，包括以下步骤：S1.预置多层电路基板：基于激光辅助微孔互连工艺，在陶瓷基材与聚酰亚胺复合基板交替堆叠的基体上，通过纳米级金属化填充通孔，形成垂直互连结构；其中，所述陶瓷基材为氮化铝掺杂3％‑5％氧化钇的超高导热陶瓷片，聚酰亚胺层表面通过等离子体接枝改性处理，其表面粗糙度Ra≤0.2μm；S2.动态热压键合：采用分段梯度压力控制系统，将芯板与至少两层铜箔在真空环境下进行键合，初段压力为5‑10MPa、温度180‑200℃保持60秒，中段压力提升至15‑20MPa、温度230‑250℃保持120秒，末段压力回调至8‑12MPa伴随温度降至150℃以下冷却。