选择性生长的高速电吸收调制激光器芯片及其制备方法

本发明提出选择性生长的高速电吸收调制激光器芯片及其制备方法，能用于选择性生长的高速电吸收调制激光器，芯片包括衬底，还包括在选择性生长工序过程按衬底上掩膜层的预设形状来调整生长厚度的buffer层、EAM有源区和光栅层；芯片的有源区按选择性生长工序之前的衬底上掩膜层的预设形状来划分为一侧用于产生激光的LD区域和另一侧用于对激光进行调制的EAM区域；LD区域处包括光栅层和光栅层处的光栅，光栅层上顺序覆有上包层、接触层、第一金属电极，在LD区域和EAM区域的交界处设有隔离区，衬底底面处设有第二金属电极；本发明不需要多次外延生长，有效的降低了成本；同时没有存在对接界面，可以有效提高材料质量，避免对接界面缺陷，提高芯片的可靠性。