具有交错背侧互连的集成电路结构

本发明涉及具有交错背侧互连的集成电路结构。描述了具有交错背侧互连的结构。在示例中，集成电路结构包括前侧结构，该前侧结构包括具有多个基于纳米线的晶体管或多个基于鳍的晶体管的器件层，以及在器件层的多个基于纳米线的晶体管或多个基于鳍的晶体管上方的多个金属化层。背侧结构在器件层的多个基于纳米线的晶体管或多个基于鳍的晶体管下方。背侧结构包括具有交错背侧互连的金属化层。