一种宽温区硅压力传感器芯片的MEMS优化工艺

本发明公开了一种宽温区硅压力传感器芯片的MEMS优化工艺，包括在双面抛光的硅晶圆上形成蜂窝状应力缓冲腔，在SOI晶圆的顶硅层表面生成双层复合膜，之后键合形成异质结构；在SOI晶圆的顶硅层表面，通过三次变角度离子注入工艺形成深度方向掺杂浓度梯度，并通过电子束光刻工艺制作温度补偿电极，构建梯度掺杂的压阻网络，表面生长波纹状SiON介质层，刻蚀锥形通孔，并采用脉冲电镀工艺填充铜金属实现内部互连，形成金属互连结构；在其表面依次沉积梯度SiNx薄膜，在异质结构的表面涂覆Au/Sn共晶焊料，在封装腔体内集成微型Pt温度传感器，涂覆聚硅氮烷复合保护层，有效提升了芯片在宽温区范围内的性能稳定性与抗温度变化的可靠性，适应复杂的高温低温环境条件。