具有均匀栅格金属栅极和被插入有气隙结构的沟槽接触切口的集成电路结构

描述了具有均匀栅格金属栅极和被插入有气隙结构的沟槽接触切口的集成电路结构。例如，一种集成电路结构包括横向位于第一栅极结构和第二栅极结构之间的绝缘结构，其中，所述绝缘结构从鳍或水平纳米线的第一垂直堆叠体以及鳍或水平纳米线的第二堆叠体上方的水平面延伸至所述鳍或水平纳米线的第一垂直堆叠体以及所述鳍或水平纳米线的第二堆叠体下方的水平面。所述绝缘结构包括电介质衬垫、所述电介质衬垫内的腔、以及在所述腔之上的电介质盖。所述电介质衬垫与所述第一栅电极和所述第二栅电极接触。