具有直接背侧源极或漏极接触部和减小栅极深度的集成电路结构

本发明涉及具有直接背侧源极或漏极接触部和减小栅极深度的集成电路结构。描述了具有直接背侧源极或漏极接触部的集成电路结构。在示例中，集成电路结构包括第一、第二和第三多个水平堆叠纳米线或鳍，以及第一、第二和第三栅极堆叠。第一外延源极或漏极结构在第一多个水平堆叠纳米线或鳍和第二多个水平堆叠纳米线或鳍之间，第一外延源极或漏极结构在对应的导电背侧接触部之上并与其电耦合，该导电背侧接触部横向延伸超过第一外延源极或漏极结构而不与第一栅极堆叠或第二栅极堆叠横向重叠。第二外延源极或漏极结构在第二多个水平堆叠纳米线或鳍和第三多个水平堆叠纳米线或鳍之间。