一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管

本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体技术领域，该发光二极管外延片包括衬底，还包括：依次层叠于所述衬底之上的AlN层、缓冲层、三维GaN层、未掺杂GaN层、N型半导体层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层、P型半导体层；在所述应力释放层与所述多量子阱层之间插入复合插入层，所述复合插入层包括周期性交替层叠设置的AlxGa(1‑x)N层、InyGa(1‑y)N层以及P型掺杂GaN层，其中，x的取值范围为0‑1，y的取值范围为0‑1，本发明能够解决现有技术中传统的LED芯片在热态下发光效率低下的技术问题。