非侵入式压接型IGBT电流分布测量方法及装置

本申请实施例提供一种非侵入式压接型IGBT电流分布测量方法及装置，方法包括：基于预构建的测量阵列采集待检测的多个并联的压接型IGBT产生的磁场强度；基于真空磁导率、IGBT芯片电流以及IGBT芯片至AMR传感器的距离模拟每一个AMR传感器检测到的磁场强度；基于所述每一个AMR传感器检测到的磁场强度，根据每个AMR传感器的磁感应强度计算系数和每个IGBT芯片电流构建当前的磁感应强度计算矩阵；对所述磁感应强度计算矩阵中的IGBT芯片电流进行求解，实现IGBT电流分布测量；本申请能够无需破坏压接型IGBT的封装结构，以非侵入式的方式实时检测压接型IGBT的内部电流分布。