一种多端口片上互连可靠性分析方法

本发明属于集成电路技术领域，具体为一种多端口片上互连可靠性分析方法。本发明通过建立多端口片上互连的物理模型评估片上互连的关键路径；通过工作负载情况计算端口利用率估算关键路径上的门在NBTI效应作用下的延迟变化，预测多端口片上互连的寿命，即估算其在长期工作后延迟超出容许范围而导致失效的时间。在评估反向偏置温度不稳定性NBTI效应对电路寿命的影响时，考虑规则布局多端口片上互连数据通路的物理实现方法，根据端口访问冲突概率模型计算端口利用率。本发明通过物理模型获得准确的关键路径估算，结合高效的端口利用率计算方法，实现对多端口片上互连可靠性的高效分析。