封装结构及其形成方法

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封装结构及其形成方法
申请号:CN202510241318
申请日期:2025-03-03
公开号:CN120089652A
公开日期:2025-06-03
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种封装结构及其形成方法。所述封装结构的形成方法包括如下步骤:贴装芯片至一承载结构的表面,所述芯片包括朝向所述承载结构的第一主面和与所述第一主面相对的第二主面;贴装石墨烯导热垫至所述芯片的第二主面上,且所述石墨烯导热垫与所述芯片直接接触连接,所述石墨烯导热垫包括朝向所述芯片的底面和背离所述芯片的顶面;于所述承载结构的表面上形成塑封所述芯片的塑封层,且所述塑封层暴露所述石墨烯导热垫的顶面。本发明显著改善了芯片的散热性能,并简化了所述封装结构的形成工艺。
技术关键词
石墨烯导热 承载结构 封装结构 封装基板 芯片 引线框架 去离子水 石墨烯泡沫 层暴露 多层石墨烯 导电凸块 纳米层 散热器
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