一种陶瓷芯片金属电极的真空溅射装置

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一种陶瓷芯片金属电极的真空溅射装置
申请号:CN202510243963
申请日期:2025-03-03
公开号:CN120060801A
公开日期:2025-05-30
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种陶瓷芯片金属电极的真空溅射装置,包括真空腔体、抽真空装置、磁控溅射靶组件、加热管、移动旋转架、旋转驱动机构及推料车,所述定位机构用于限制移动旋转架在真空腔体内的位置;磁控溅射靶组件包括第一溅射靶组件及第二溅射靶组件,第一溅射靶组件用于在陶瓷芯片表面溅射形成第一层金属电极,第二溅射靶组件用于在第一层金属电极表面溅射形成第二层金属电极。本发明磁控溅射靶组件的双靶分层溅射设计,结合导热铜板与水冷套的协同散热,可维持靶面温度稳定,避免过热导致的晶格缺陷;移动旋转架正交滚轮约束驱动陶瓷芯片载盘匀速旋转,配合环形磁场实现均匀溅射,实现陶瓷芯片金属电极的高效批量化生产。
技术关键词
真空溅射装置 磁控溅射靶组件 真空腔体 旋转驱动机构 旋转架 导热铜板 抽真空装置 陶瓷 磁铁组件 金属电极表面 定位套筒 旋转齿轮 轨道 芯片载盘 金属电极层 滚轮 环形磁场
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