芯片制造蚀刻机台LAM氧化铝涂层部件的精密再生方法

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芯片制造蚀刻机台LAM氧化铝涂层部件的精密再生方法
申请号:CN202510249032
申请日期:2025-03-04
公开号:CN119795049A
公开日期:2025-04-11
类型:发明专利
摘要
本发明涉及精密再生方法技术领域,尤其涉及芯片制造蚀刻机台LAM氧化铝涂层部件的精密再生方法,其步骤如下:SI:混合磨料与水;S2:放置部件;S3:湿喷砂处理;S4:检测与处理;S5:磨料与污水回收;本发明的方法通过精确控制湿喷砂处理的喷射压力、喷射距离和喷砂时间,可以确保部件表面得到均匀且精细的处理,去除污垢和附着物的同时,露出干净、粗糙的膜层表面,满足高精度再生的要求,湿喷砂相较于干喷砂,由于水的加入,减少了粉尘产生,对环境污染小,同时回收系统能够分离磨料和污水,实现资源的循环利用,符合环保要求,整个再生过程在封闭环境中进行,避免了粉尘对操作人员的危害,进一步满足芯片制造的高精度要求,提升产品质量。
技术关键词
蚀刻机台 再生方法 湿喷砂机 氧化铝 喷射系统 涂层 回收系统 混合磨料 芯片 电子扫描显微镜 压力调节阀 喷枪 玻璃珠 污水 空气压缩机 检测仪器 高倍显微镜 回收罐 压力泵 聚氨酯材质
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