一种基于方坑的三色LED芯片流磁巨量转移装置及方法

本发明提供了一种基于方坑的三色LED芯片流磁巨量转移装置及方法，属于半导体巨量转移技术，包括下层转移基板，所述下层转移基板上方设置有上层转移基板，所述下层转移基板上开设有多组像素点方坑，所述上层转移基板上开设有多组上层基板转移方坑，所述下层转移基板与上层转移基板相接触，所述下层转移基板下方设置有阵列磁针，所述阵列磁针上的磁针针尖设置在像素点方坑正下方，所述上层转移基板上方设置有加磁LED芯片，所述加磁LED芯片设置在上层基板转移方坑正上方。本发明采用上述的一种基于方坑的三色LED芯片流磁巨量转移装置及方法，解决了现有技术中芯片巨量转移的转移精准度、效率上限低以及转移的芯片的姿态无法精确控制的问题。