裂纹缺陷TSV等效电路的建模方法及装置

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裂纹缺陷TSV等效电路的建模方法及装置
申请号:CN202510250459
申请日期:2025-03-04
公开号:CN120145974A
公开日期:2025-06-13
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种裂纹缺陷TSV等效电路的建模方法及装置,包括:设计裂纹缺陷TSV结构;其中,裂纹缺陷TSV结构包括金属层、绝缘层、衬底层和裂纹缺陷;建立分布式裂纹缺陷TSV等效电路模型,包括多个结构相同的TSV子模块和裂纹电容Ccrack;根据分布式裂纹缺陷TSV等效电路模型中的RLGC参数确定裂纹缺陷TSV结构中的金属层、绝缘层、衬底层和裂纹缺陷分别的参数;当裂纹缺陷TSV结构和分布式裂纹缺陷TSV等效电路模型各自的仿真结果满足预设误差要求时,将分布式裂纹缺陷TSV等效电路模型作为目标模型。本发明构建的目标模型可以准确地描述具有裂纹缺陷的TSV的特性,并且能够体现更细致高频特性。
技术关键词
裂纹缺陷 等效电路模型 建模方法 平行板电容 结构设计模块 衬底 参数 建模装置 电感 电阻 误差 二氧化硅 因子 真空 空气
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