一种三维堆叠芯片及其制作方法

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一种三维堆叠芯片及其制作方法
申请号:CN202510255806
申请日期:2025-03-05
公开号:CN120187041A
公开日期:2025-06-20
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种三维堆叠芯片及其制作方法。三维堆叠芯片包括衬底、第一存储模块和逻辑模块;第一存储模块和逻辑模块依次堆叠在衬底上,第一存储模块设置在逻辑模块和衬底之间;第一存储模块用于提供和存储逻辑模块所需的数据,支持逻辑模块完成相应的工作;逻辑模块借道第一存储模块和衬底与外界进行信号交互。本发明避免了逻辑模块产生的热量对存储模块的影响,显著提升了对逻辑模块的功耗容忍度,而且能够有效减少存储模块堆叠结构中需要设置的导电通路的数量。
技术关键词
三维堆叠芯片 逻辑模块 存储模块 堆叠结构 衬底 散热模块 存储结构 硅中介层 电路 间隔层 导电 存储器 电源 指令 数据 通孔 信号 功率 功耗
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