一种三维堆叠芯片及其制作方法

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一种三维堆叠芯片及其制作方法
申请号:CN202510255895
申请日期:2025-03-05
公开号:CN120187043A
公开日期:2025-06-20
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种三维堆叠芯片及其制作方法。三维堆叠芯片包括衬底、第一存储模块和逻辑模块;第一存储模块和逻辑模块依次堆叠在衬底上,第一存储模块设置在逻辑模块和衬底之间;第一存储模块用于提供和存储逻辑模块所需的数据,支持逻辑模块完成相应的工作;逻辑模块借道第一存储模块和衬底与外界进行信号交互,逻辑模块还通过与第一存储模块相对的一侧实现连接电源、连接地以及与外界进行信号交互中的一种或者多种。本发明避免了逻辑模块产生的热量对存储模块的影响,显著提升了对逻辑模块的功耗容忍度,而且通过设置附加层,为整个工艺过程中的结构提供足够强度的支撑,实现逻辑模块与散热模块的导电连接。
技术关键词
三维堆叠芯片 逻辑模块 存储模块 堆叠结构 散热模块 衬底 存储结构 导电 间隔层 电源 信号 存储器 通孔 数据 功耗 绝缘 强度
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