一种焊盘交叉分布功率管的封装结构及其工艺

本发明公开了一种焊盘交叉分布功率管的封装结构及其工艺，该工艺包括以下步骤：芯片预处理：芯片正面布设晶圆级重布线层，将芯片焊盘电性输入端、输出端交叉分布；芯片包封：将芯片正面朝向基板贴装，包封芯片后上下翻转，重布线层顶面与包封顶面齐平外露；线路层电镀：在外露重布线层的顶面电镀线路层，线路层与重布线层走线相同并覆盖重布线层中部，线路层将重布线层厚度加厚；连接块电镀：在线路层上电镀连接块，连接块沿部分线路层走线方向延伸设置并覆盖线路层中部，包封线路层和连接块并研磨暴露出连接块顶面，本发明线路层将芯片晶圆级的重布线层厚度加厚，减小电阻，增大芯片输出功率和过电流能力。