一种硅基单原子量子计算芯片及其制备方法

本发明涉及量子芯片技术领域，本发明公开了一种硅基单原子量子计算芯片及其制备方法。硅基单原子量子计算芯片包括：量子比特阵列器件，所述量子比特阵列器件包括：硅基衬底，分布在所述硅基衬底表面之下的由若干含磷原子的基团组成的基团阵列，所述基团阵列以若干列为一组构成一个条带，并且条带内各基团之间的构型不相同；面内（掺杂）电极，所述面内电极与基团阵列处于同一平面，经过硅接触孔与欧姆电极连接形成欧姆接触；顶电极和微纳天线，所述顶电极和微纳天线位于所述量子比特阵列器件之上，与硅基衬底及欧姆电极之间由介电层隔离；微磁体，所述微磁体集成在所述量子比特阵列器件之上，与硅基衬底及其他结构之间由介电层隔离。本发明提供的硅基单原子量子计算芯片相比门电极的多层堆叠电极，硅基单原子体系更易扩展量子点的数目，且减少了电极数量，更方便调控，并且微磁体与量子比特距离更近，可实现较大的频率区分，对微磁体的加工难度降低。