一种功率半桥封装结构和电子设备

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一种功率半桥封装结构和电子设备
申请号:CN202510270975
申请日期:2025-03-07
公开号:CN120110131A
公开日期:2025-06-06
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种功率半桥封装结构和电子设备,涉及半导体领域,其中,功率半桥封装结构中包括至少一个单芯功率半桥,每个单芯功率半桥的中的上管陶瓷基板、上管芯片、上管D极端子、下管S极端子、下管芯片、交流连接铜排以及下管陶瓷基板通过上下叠层方式进行设置,上下叠层方式有效缩短了导电部件间的距离,从而显著降低了器件自身及整个功率系统的寄生电感,减少了能量损失、信号失真和电磁干扰等问题,进一步推动系统效率和可靠性的提升。
技术关键词
半桥封装结构 陶瓷基板 温度检测元件 芯片 叠层方式 电子设备 散热器 端子 铜排 推动系统 功率设备 功率系统 信号失真 导电部件 半导体 电源
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