摘要
本申请涉及半导体技术领域,特别是涉及一种低功耗的智能半导体器件及开关电源芯片。所述低功耗的智能半导体器件,包括集成在衬底上的采样管、主功率管、启动管和启动电阻;其中,所述启动电阻从所述主功率管的漏极引出后依次经过第一类金属场板下方和第二类金属场板下方与启动管的栅极连接,所述第一类金属场板包括所述主功率管的源极金属场板、所述采样管的栅极金属场板、所述采样管的源极金属场板和所述启动管的源极金属场板中的至少一个;所述第二类金属场板为所述主功率管的漏极金属场板。本申请的低功耗的智能半导体器件,能够随工作状态自适应调节启动电阻的阻值,进而兼顾启动速率与低功耗。
技术关键词
金属场板
功率管
半导体器件
低功耗
开关电源芯片
栅极
电阻
ESD保护电路
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GaN层
衬底
分段
电容
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