一种抑制GaN HEMT桥臂串扰的驱动电路
申请号：CN202510234333
申请日期：2025-02-28
公开号：CN119995327A
公开日期：2025-05-13
类型：发明专利
摘要
本发明公开了一种抑制GaN HEMT桥臂串扰的驱动电路。本发明分别在高/低侧驱动电路内设置上/下桥臂串扰抑制电路；上桥臂串扰抑制电路在功率管开启时吸收高侧驱动电路内(正向)电压尖峰串扰，在功率管关断时吸收高侧驱动电路内(负向)电压尖峰串扰；下桥臂串扰抑制电路在功率管开启时吸收低侧驱动电路内(正向)电压尖峰串扰，在功率管关断时吸收低侧驱动电路内(负向)电压尖峰串扰。本发明有效抑制了上/下桥臂串扰，保护了GaN HEMT功率器件的栅极，提高了GaN HEMT半桥驱动电路的可靠性。
技术关键词
功率管
晶体管
串扰抑制电路
低侧驱动电路
关断
高侧驱动电路
栅极电路
电阻
二极管
信号
栅极驱动芯片
氮化镓开关
速度
电容
电压
工作周期
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串扰抑制电路
电阻
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