基于栅极峰值电流法的SiC MOSFET结温在线监测电路系统

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正文
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基于栅极峰值电流法的SiC MOSFET结温在线监测电路系统
申请号:CN202510609066
申请日期:2025-05-13
公开号:CN120446704A
公开日期:2025-08-08
类型:发明专利
摘要
本发明公开了基于栅极峰值电流法的SiC MOSFET结温在线监测电路系统,与待测SiC MOSFET连接进行结温监测,包括FPGA、数字驱动电路、di/dt检测电路、峰值电流采集电路和采样电阻,FPGA连接有PWM输入信号的输出端;FPGA通过接收di/dt检测电路的触发信号、PWM输入信号动态调整数字驱动电路驱动逻辑,在获取峰值采集电路的有效输出数据后,FPGA内部的结温数据处理模块对数据进行实时分析与处理,最终输出SiC MOSFET器件的结温信息。本发明具有结温监测灵敏度高、抗干扰能力强、电路结构简单等优点。
技术关键词
数字驱动电路 电流采集电路 电路系统 采样电阻 SiCMOSFET器件 在线 半导体场效应晶体管 差分放大器 结温 数据处理模块 模数转换器 栅极驱动芯片 双极性晶体管 控制开关器件 生成触发信号
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