功率半导体装置及其封装方法

本申请公开了功率半导体装置及其封装方法，该功率半导体装置的第一覆铜陶瓷基板和第二覆铜陶瓷基板并列设置于壳体；第一相桥、第二相桥、第三相桥、第四相桥、第五相桥以及第六相桥依次并排设置于第一覆铜陶瓷基板上；第七相桥、第八相桥、第九相桥、第十相桥、第十一相桥以及第十二相桥依次并排设置于第二覆铜陶瓷基板上；其中，第一覆铜陶瓷基板的各个相桥形成的图案，与第二覆铜陶瓷基板的各个相桥形成的图案对称设置。因此，本申请的功率半导体装置可保证每相电路的寄生参数相同，有利于降低功率半导体装置的寄生参数，以减少不同相桥电路差异性并提高功率半导体装置的均流性。