一种具有高压隔离功能的电容耦合岛芯片架构及封装方法

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一种具有高压隔离功能的电容耦合岛芯片架构及封装方法
申请号:CN202510275734
申请日期:2025-03-10
公开号:CN120341223A
公开日期:2025-07-18
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种具有高压隔离功能的电容耦合芯片架构及封装方法,包括由数个电容耦合通道组成的电容模块,每个电容耦合通道包括两个串联的耦合电容,每个电容包括芯片衬底、N阱、高压介电层,上极板和下极板五个层级,上极板和下极板均为金属板,N阱设置于芯片衬底上,上极板和下极板均设置于N阱上,上极板和下极板之间填充高压介电层,采用三衬底的芯片封装结构时,电容模块、信号发射模块和信号接收模块分别置于不同的三个封装衬底上,采用两衬底的芯片封装结构时,信号发射模块与信号接收模块分别置于不同的两个封装衬底上,电容模块和信号发射模块或信号接受模块同置于一个封装衬底上。以数个电容耦合通道组成的电容模块也称为电容耦合岛。
技术关键词
信号发射模块 芯片架构 电容模块 信号接收模块 芯片封装结构 衬底 高压 介电层 芯片封装方法 通道 金属板 层级 晶体 间距 电路
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