等离子体蚀刻进程检测方法、装置、存储介质及设备

一种等离子体蚀刻进程检测方法、装置、存储介质及设备。所述方法包括：在对第一半导体结构进行等离子体蚀刻过程中，采集等离子蚀刻腔室中处于激发态的气相粒子的光强并得到对应的光学发射光谱OES数据；基于所述OES数据，利用预设机器学习模型，得到当前等离子体蚀刻进程的预测结果。采用上述方案，可以提高等离子体蚀刻进程的检测效率。