一种掩模图形确定方法、设备、介质及产品

本申请公开了一种掩模图形确定方法、设备、介质及产品，应用于半导体技术领域。本申请提供的掩模图形确定方法，是基于多个第二采样点确定目标掩模图形的，而第二采样点是基于第一光刻图形与第一刻蚀图形在第一采样点对应位置处的第一刻蚀偏差数据，对所述第一采样点进行刻蚀偏差修正得到的。而第一采样点能够表征所述第一目标刻蚀图形的图形轮廓，所以本申请通过对多个采样点分别进行修正的方式，能够较为准确地修正曲线轮廓的刻蚀偏差，所以，本申请实施例能够高效地完成曲线图形对应的掩模图形的设计。