基于MOS管的自适应偏置电压优化方法及相关设备

本发明涉及一种基于MOS管的自适应偏置电压优化方法相关设备，应用于栅极驱动电路，包括以下步骤：对栅极驱动电路工作状态下的目标MOS管进行实时监测，得到目标MOS管的工作参数；基于预设的偏置电压需求预测模型，基于所述工作参数对所述目标MOS管进行偏置电压需求预测，得到偏置电压需求值；对所述偏置电压需求值进行数字化信号处理，以转化为控制信号；将所述控制信号施加在所述目标MOS管的栅极上，以动态调整所述目标MOS管的工作状态，解决了在极端条件下，如高温或重载情况下，固定偏置电压可能导致MOS管过热或开关损耗增加的技术问题。