半导体结构及其制备方法、发光阵列及其制备方法

本发明实施例公开了一种半导体结构及其制备方法、发光阵列及其制备方法，通过设置掩膜结构靠近掩膜开口的至少一侧的侧壁包括至少一个台阶结构，子发光单元中第一导电层的至少部分位于掩膜台面的一侧和/或子第二导电层的至少部分位于掩膜台面的一侧，使得在对应掩膜台面的位置，第一导电层形成第一电极台面和/或第二导电层形成第二电极台面，后续在形成发光阵列时，在对应掩膜台面的位置，第一电极台面和/或第二电极台面天然暴露。由于不需对外延结构进行刻蚀即可形成第一电极台面和/或第二电极台面，使得第一电极台面和/或第二电极台面较为平整，易于形成欧姆接触，并且有利于减少电极形成的工艺步骤，降低了Micro‑LED芯片的制作成本。