一种氮化镓基Micro-LED中P型欧姆接触电极及其制备方法

本发明公开了一种氮化镓基Micro‑LED中P型欧姆接触电极及其制备方法，属于半导体技术领域。该方法包括以下步骤：对蓝宝石基氮化镓外延片进行无机清洗(H2SO4:H2O2＝3:1)，光刻形成传输线模型图案，电子束蒸镀5nm镍/5nm金双层电极，金属剥离后，进行氧气气氛下的快速退火(200℃预热30s，500℃退火60s)。通过传输线模型测试，计算得到比接触电阻率低至2.495×10‑5Ω·cm2。本发明通过优化退火工艺参数(温度、时间、氧气流量)，显著降低Ni/Au与p‑GaN的接触电阻，提升Micro‑LED的电学性能和发光效率，适用于高密度显示器件制造。