芯片制程工艺的检查方法及系统

本申请涉及一种芯片制程工艺的检查方法及系统，包括：获取已进行开封处理的芯片，根据芯片中不同功能区的分布情况设置目标检查区域；对芯片进行芯片去层处理，使目标检查区域内的金属互连层暴露，根据金属互连层的形貌确定芯片的剖切方向，其中，金属互连层位于芯片的衬底上；沿剖切方向对芯片进行剖切，以获取具有剖切截面的待检测样品，所述剖切截面为沿剖切方向对芯片进行剖切后暴露的截面；根据剖切截面分析获取待检测样品的参数信息。本申请在无具体定位信息的条件下实现了对未知集成电路产品芯片的制程工艺检查以及参数信息的测量，降低了聚焦离子束制样时间和成本，提升了聚焦离子束制样的效率和准确性。