一种制氧系统中的芯片生产方法

本发明公开一种制氧系统中的芯片生产方法，包括以下步骤：对质子交换膜进行双面喷涂，并分别在质子交换膜两侧形成阳极催化层和阴极催化层；本发明在芯片生产过程中通过对质子交换膜进行喷涂代替现有的分别对阳极气体扩散层以及阴极气体扩散层喷涂，进而达到提高芯片生产效率的目的，避免了现有的制氧系统中的芯片生产方法中，对于芯片的核心处理往往采用对阳极气体扩散层以及阴极气体扩散层进行喷涂，该种喷涂方式不仅操作复杂，导致芯片的生产效率降低，而且，由于阳极气体扩散层以及阴极气体扩散层在喷涂之后需要分别与质子交换膜进行对接，导致喷涂物质与质子交换膜接触不全面，芯片的喷涂效果受到影响，进而影响芯片的成品率的问题。