一种基于第三代半导体氮化镓的微流控集成生物芯片的制备方法及其应用

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一种基于第三代半导体氮化镓的微流控集成生物芯片的制备方法及其应用
申请号:CN202510332965
申请日期:2025-03-20
公开号:CN120169453A
公开日期:2025-06-20
类型:发明专利
摘要
一种基于第三代半导体氮化镓的微流控集成生物芯片的制备方法及其应用,属于生物芯片技术领域,包括如下步骤:S1、使用第三代半导体材料氮化镓制备HEMT器件;S2、制备微流控芯片;S3、对特异性抗体进行原位固定以及功能化修饰。本发明通过微流控芯片集成技术,将病原体鉴定与药敏实验时间缩短,检测速度大幅提升,显著提高诊断效率。本发明利用GaN HEMT传感器对电荷变化的敏感性,结合抗体原位修饰技术,检测下限低至单细胞级别,且可区分活菌与死菌,减少假阳性。本发明微流控芯片集成病原体鉴定与耐药性筛查功能,实现“样本进‑结果出”的一站式检测,支持精准用药指导。
技术关键词
集成生物芯片 芯片结构 GaN外延片 HEMT器件 抗体 金属有机化学气相沉积 微流控芯片设计 半导体光刻技术 聚乙二醇二丙烯酸酯 刻蚀深度 异质结晶体管 设备工艺参数 原位 半导体材料 生物芯片技术 点击化学反应 欧姆接触电极
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