一种基于碳化硅MOSFET高开关频率逆变器

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一种基于碳化硅MOSFET高开关频率逆变器
申请号:CN202510333917
申请日期:2025-03-20
公开号:CN120237973A
公开日期:2025-07-01
类型:发明专利
摘要
本发明属于电力电子领域,涉及逆变器设计技术领域,提供了一种基于碳化硅MOSFET高开关频率逆变器,包括并联S i C逆变器、直流母线电容和DSP控制器。并联Si C逆变器包括多个并联的双向桥臂逆变器,每个双向桥臂逆变器的输出端连接有霍尔传感器CT。直流母线电容的一端与并联Si C逆变器的正接线端连接,另一端与所述并联Si C逆变器的负接线端连接。DSP控制器包括多个驱动电路、电流采样电路和PWM控制信号转换电路。本发明的逆变器在确保逆变器功率频率且不影响输出波形质量的情况下,实现滤波电感和滤波电容体积和重量的大幅降低,满足产品重量限制的要求。
技术关键词
桥臂逆变器 直流母线电容 碳化硅 控制信号转换电路 电流采样电路 功率开关 霍尔传感器 电压采样电路 频率 控制芯片 滤波电感 接线 控制器 PWM控制
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