共发射极的功率半导体模块

本实用新型为共发射极的功率半导体模块，包括功率半导体模块本体，所述功率半导体模块本体由散热基板以及设置在散热基板上的至少两块绝缘陶瓷基板组成，在每块所述的绝缘陶瓷基板上均安装有碳化硅芯片和电阻，其中所述碳化硅芯片与绝缘陶瓷基板之间通过铜排连接，所述电阻与碳化硅芯片之间通过金属导线连接，在所述绝缘陶瓷基板和散热基板上还分别设置有功率端子和信号端子。本实用新型具有结构简单、制作工艺方便、制作耗时短且性能更优等优点。