一种胶体量子点焦平面芯片及其制备方法

本发明涉及光电成像技术领域，公开了一种胶体量子点焦平面芯片及其制备方法，制备方法包括：提供基底；在基底一侧表面形成阵列排布的多个电极；在基底一侧表面形成多个像元隔离层；多个像元隔离层在第一方向上间隔排列，且沿第二方向延伸；多个电极和多个像元隔离层共同围出阵列排布的多个像元区，像元区中暴露出基底表面；在基底一侧表面形成胶体量子点光敏薄膜，胶体量子点光敏薄膜覆盖像元区暴露的基底表面并包覆像元隔离层和电极；胶体量子点光敏薄膜包括光敏区和非光敏区；光敏区位于基底表面的像元区；非光敏区位于像元隔离层背向基底的一侧表面。本发明可以实现像元之间的无损隔离，提高芯片的光电性能、稳定性和可靠性，降低工艺成本。