一种碲镉汞红外探测器芯片的制备方法

本发明公开了一种碲镉汞红外探测器芯片的制备方法，包括步骤：提供衬底，其包括光电材料层；在光电材料层上依次形成钝化层和介质层；刻蚀所述介质层和钝化层形成通孔，暴露出所述光电材料层；在所述衬底的光电材料层一侧形成金属层，覆盖所述介质层及通孔内的光电材料层，所述金属层包括第一金属层与第二金属层的叠层结构；使用图案化的正性光刻胶覆盖所述金属层，采用ICP刻蚀设备对所述金属层进行干法刻蚀，形成图案化的金属电极；去除与所述图案化的金属电极对应位置以外的介质层，形成所述碲镉汞红外探测器芯片。本发明可以避免光刻胶膜在金属表面残留以及溶液跟金属发生反应，降低了钝化层漏电的风险，提升了金属层的导电性效果。