高可靠性LED芯片及其制备方法、显示屏

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高可靠性LED芯片及其制备方法、显示屏
申请号:CN202510354318
申请日期:2025-03-25
公开号:CN119894182B
公开日期:2025-06-17
类型:发明专利
摘要
本发明涉及发光二极管制造技术领域,尤其涉及一种高可靠性LED芯片及其制备方法、显示屏。制备方法包括:提供外延片;形成导电台阶、刻蚀槽;形成第一钝化层、第二钝化层;将第二钝化层图案化,以使第二钝化层覆盖刻蚀槽的侧壁,并沿导电台阶的底壁延伸第一预设距离L1,沿刻蚀槽的底壁延伸第二预设距离L2;形成第三钝化层;开孔并形成第一电极、第二电极。其中,第三钝化层、第一钝化层的沉积速率相同,且小于第二钝化层的沉积速率。L1≥1.5μm,L2≥1.5μm;实施本发明,可提升LED芯片的可靠性。
技术关键词
层沉积 半导体层 电极 外延片 速率 台阶 导电 流量比 显示屏 LED芯片 功率 中间体 发光二极管 衬底 层叠 上沉积
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