一种耐高温MEMS压力传感器芯片及其封装结构

本发明属于MEMS传感器的领域，公开了一种耐高温MEMS压力传感器芯片及其封装结构。该芯片自下而上设有SOI基底、AlN层和SiO2层；SOI基底的最上层上设有多个P型压敏电阻，多个P型压敏电阻对称分布在弹性膜片边缘的应力集中处；P型压敏电阻的上方设有连续贯穿于AlN层和SiO2层的通道；通道中设有金属Pad；金属Pad的上端位于耐高温MEMS压力传感器芯片最上层，下端与P型压敏电阻接触。本发明中较厚的氧埋层能够耐受高温恶劣环境，并沉积高导热系数的AlN散热材料，保证高温下快速散热；同时本发明采用无引线封装以提高传感器稳定性和可靠性，进一步优化封装密度。