一种同时具备纵模横模选择的边发射激光器及其制备方法

本发明涉及激光器技术领域，公开了一种同时具备纵模横模选择的边发射激光器及其制备方法。该边发射激光器包括芯片元件、模式调制结构和绝缘层，芯片元件的顶部设置有脊波导结构，模式调制结构位于芯片元件顶部脊波导结构的一侧；模式调制结构包括环形腔和环形腔电极层，环形腔与环形腔电极层之间有绝缘层间隔；芯片元件顶部且位于脊波导结构的外侧设置有P型接触金属层。本发明的同时具备纵模横模选择的边发射激光器，通过在边发射激光器中激光反馈的主脊型边缘设置一模式调制结构，利用模式耦合原理实现脊型边发射激光器中纵模和横模输出的灵活调控，无需增加外部的光学组件，集成度和紧凑度都比较好，而且工艺与现有激光器相互兼容。