一种下管耦合开启抑制电路和半桥分地驱动芯片

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一种下管耦合开启抑制电路和半桥分地驱动芯片
申请号:CN202510365876
申请日期:2025-03-26
公开号:CN120200462A
公开日期:2025-06-24
类型:发明专利
摘要
本申请提供一种下管耦合开启抑制电路和半桥分地驱动芯片,涉及电子电路技术领域。本申请通过在传统半桥分地驱动芯片设计的基础上引入耦合抑制管和抑制管驱动电路,以便在上功率管开启且下功率管关闭,同时下功率管栅极电位因功率地振铃现象或驱动输出端电位变化的耦合影响而被抬高的情况下,由抑制管驱动电路驱动耦合抑制管开启,来将下功率管的栅极电位下拉到较低状态,避免下功率管在功率地振铃现象或驱动输出端电位变化的耦合影响下出现误开启现象,从而在开启上功率管并关闭下功率管时有效避免出现上下功率管穿通甚至烧片的问题。
技术关键词
功率管 逻辑电路 上管驱动电路 驱动芯片 电平位移电路 控制电路 接地端 栅极 振铃现象 浮动电源 MOS管 输入端 电子电路技术 电容 电压
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