一种发光二极管芯片及其制备方法

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一种发光二极管芯片及其制备方法
申请号:CN202510369297
申请日期:2025-03-27
公开号:CN119894189A
公开日期:2025-04-25
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种发光二极管芯片及其制备方法,所述发光二极管芯片包括自下而上层叠设置的导电硅片、金属键合层、N型导电金属层、第二绝缘保护层、P型导电金属层、反射层、欧姆接触层、外延层、第三绝缘保护层,外延层上设有贯穿外延层的若干分割槽,分割槽内依次层叠设置第一绝缘保护层和应力释放金属层,应力释放金属层的热膨胀系数小于外延层的热膨胀系数,在外延层上制备多个分割槽,确保外延层与衬底分离过程中,产生的应力通过多个分割槽可以得到传导和分散,避免外延层破裂或脱落的现象,在分割槽内设置应力释放金属层,避免因外延层的内应力及热压键合过程中高温翘曲,引起的外延层破裂或脱落。
技术关键词
发光二极管芯片 外延 导电金属层 绝缘 应力 欧姆接触层 MOCVD工艺 电感耦合等离子体 衬底 光刻胶层 表面涂布 负性光刻胶 涂布光刻胶 硅片 层叠 刻蚀工艺 上沉积 通孔
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