一种评估宽禁带半导体器件封装结构散热能力的测试方法

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一种评估宽禁带半导体器件封装结构散热能力的测试方法
申请号:CN202510370196
申请日期:2025-03-27
公开号:CN120275792A
公开日期:2025-07-08
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种评估宽禁带半导体器件封装结构散热能力的测试方法,涉及半导体,该方法为:对宽禁带半导体器件的芯片裸片进行变温测试,建立所述芯片裸片的串联电阻Rs与结温Tj之间的数学关系模型Rs=f(Tj);对封装后的器件进行差异化导通时间分析,以得到所述串联电阻Rs及其阻值反馈得到的功率输入下封装后的器件的结温Tj,并根据所述串联电阻Rs及其阻值反馈得到的功率输入下封装后的芯片裸片的结温Tj对封装后的芯片裸片的热失效点进行分析,以对所述封装后的器件的一维热阻RTh进行评估,以及对其额定功率进行预测。本发明能对不同形式的封装具有广泛兼容性和良好适应性,能够快速、便捷评估宽禁带半导体器件封装的散热能力。
技术关键词
宽禁带半导体器件 封装结构 测试方法 电阻 芯片 热传导 曲线 稳态 脉冲发生器 选取特征 基准 数学 热阻 测试台 功率值 特征点 关系 结温
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