摘要
本发明提供一种封装方法及封装结构,采用两次划片工艺代替传统的一次划片工艺,在进行第一次划片后,在切割槽内形成疏胶层,在进行第二次划片后,形成独立的芯片,且芯片的侧壁的上部覆盖有疏胶层,疏胶层能够疏离粘附材料。在所形成的封装结构中,粘附材料仅能够沿芯片侧壁未被疏胶层覆盖的表面爬升,限制了粘附材料的爬升高度,形成的封装结构能够满足半导体封装规范的要求,提高了封装结构的良率,并且有效地避免了封装结构因粘附材料爬升至芯片表面引起的失效或者与散热盖接触不良。同时,粘附材料爬升高度被限制还能够提升芯片与承载结构之间的粘附材料厚度,进一步提高了封装结构的可靠性。本发明从工艺源头防呆,封装过程可实施,工艺可操作性强,有利于推广应用。
技术关键词
粘附材料
承载结构
封装方法
封装结构
芯片
散热盖
聚酰亚胺层
划片工艺
焊垫
切割刀
引线
半导体封装
氮化硅
氧化硅
斜坡
涂覆
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