降低噪声的霍尔传感器

包括至少一个霍尔传感器(110)的半导体芯片(100)。该至少一个霍尔传感器(110)包括：在半导体衬底中的具有第一导电类型的导电阱(111)；布置在导电阱(111)的表面处并且具有第一导电类型的多个阱触点(114)；在导电阱(111)的表面处定界阱触点(114)的多个浅沟槽隔离区(113)。具有与第一导电类型相反的第二导电类型的植入物(112)存在于浅沟槽隔离区(113)的侧面上，使得霍尔传感器(110)包括耗尽区，该耗尽区包括：位于植入物(112)和导电阱(111)之间的第一子区域(115a)，以及位于植入物(112)和阱触点(114)之间的第二子区域(115b)。