一种集成CIS-TSV技术与FOPLP技术的芯片封装结构

一种集成CIS‑TSV技术与FOPLP技术的芯片封装结构，包括晶圆级玻璃承载板、晶圆级CIS芯片；将晶圆级CIS芯片与承载板键合在一起，并其上设置第一导电通孔结构；且设置第一金属重布线层，将多块晶圆级CIS芯片粘贴在承载板上形成板级复合体；在其上设置第一塑封层并在其上粘贴第二芯片并形成第二塑封层；在第二塑封层上依次设置第二/第三导电通孔结构和形成第二层金属充布线层；在其上依次设置绝缘层、导电结构通孔及第三层金属重布线层；在第三层金属重布线层上植球，拆除板级承载板和粘贴膜；切割得到单颗芯片。该封装结构可实现CIS芯片与其他种类芯片集成并通过FOWLP技术完成封装工艺，在实现不同种类芯片集成的同时，能极大的提高封装效率，显著降低加工成本。