基于Benes架构的多路硫系相变材料光开关器件及实现方法

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基于Benes架构的多路硫系相变材料光开关器件及实现方法
申请号:CN202510381547
申请日期:2025-03-28
公开号:CN120491249A
公开日期:2025-08-15
类型:发明专利
摘要
本发明涉及光通信技术领域,公开了一种基于Benes架构的多路硫系相变材料光开关器件,通过在光开关的定向耦合器的波导上设置硫系相变材料层,使得切换晶化和非晶化状态时所需的电压较小,能够更加快速地进行状态切换,从而降低器件的整体功耗,显著改变波导系统中的超模结构,影响光的耦合路径和输出位置,实现高性能光开关。另外,本发明利用Benes架构可重构无阻塞传输的特点,大幅提升数据传输灵活性和传输效率,并且能够以更少的开关单元数量需求实现相同规模的多路光开关设计,当规模需求增大时,相对比其它方案将在很大程度上减少开关单元使用数量,节省芯片的使用空间,从而减少器件的整体损耗,进一步提高芯片的综合性能和可集成度。
技术关键词
硫系相变材料 光开关器件 波导 端口 多路光开关 开关单元 定向耦合器 光通信技术 无阻塞 衬底 金属电极 二氧化硅 介质 规模 综合性 氧化铝 高性能 芯片
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