高击穿电压整流芯片及其制备方法

本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种高击穿电压整流芯片及其制备方法，其中，高击穿电压整流芯片包括从下至上依次层叠设置的硅衬底、AlN层、GaN层和AlGaN层，AlGaN层还设有沿一水平方向依次邻接设置的肖特基接触金属电极、p‑AlN层、Al2O3层和欧姆接触金属电极，其中，肖特基接触金属电极覆盖p‑AlN层顶部且与Al2O3层一侧连接；该高击穿电压整流芯片使肖特基接触金属电极覆盖p‑AlN层顶部且与Al2O3层一侧连接，这种布局方式有助于形成均匀的电场分布，分散电场，缓解电场拥挤现象，提高芯片的击穿电压。